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参数目录42612
> SI5402BDC-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 30V 1206-8
型号:
SI5402BDC-T1-GE3
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Vishay Siliconix
描述:
MOSFET N-CH D-S 30V 1206-8
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
SI5402BDC-T1-GE3 PDF
标准包装
1
系列
TrenchFET®
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
4.9A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
35 毫欧 @ 4.9A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
20nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
-
功率 - 最大
1.3W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SMD,扁平引线
供应商设备封装
1206-8 ChipFET?
包装
标准包装
其它名称
SI5402BDC-T1-GE3DKR
查看SI5402BDC-T1-GE3代理商
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